Kompetenzgebiete
Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien
Analytik
Der Kompetenzbereich Analytics beschäftigt sich mit der Charakterisierung von Materialien, die für die Herstellung von Halbleiterschaltkreisen benötigt werden. Im Mittelpunkt stehen Fragestellungen zur Verteilung und Aktivität von Dotieratomen, zur Beschaffenheit von Grenz- und Oberflächen, zum Kristallisationsverhalten und zur Kontamination. Um dieser Aufgabenstellung auch bei der fortlaufenden Miniaturisierung gerecht werden zu können, beschäftigt sich der Bereich ebenfalls mit der Weiterentwicklung der Messmethoden bzw. dem Einsatz neuer Analyseverfahren.
| Microscopy & Topography | Compositional Analysis | Microstructure Analysis | Electrical Characteri zation |
|---|---|---|---|
| Transmission Electron Microscopy (TEM) | Atom Probe Tomography (APT) | X-ray Diffraction (XRD)/ X-ray Reflectrometry (XRR) | Electrical Probing (C-V, I-V) |
| Focused Ion Beam (FIB) | Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS/Tof-SIMS ) | Raman Spectroscopy | Device Characterization & Reliability |
| Scanning Electron Microscopy (SEM/ Review SEM/CD-SEM) | Energy Dispersive X-ray Analysis (EDX)/ Electron Energy Loss Spectroscopy(EELS) | Fourier Transformed Infrared Spectroscopy (FTIR) | 4-Point Resistivity |
| Optical Microscopy | X-ray Photoelectron Spectroscopy | Porosimetry | |
| Atomic Force Microscopy (3D AFM) | Total Reflection X-ray Fluorescence (TXRF) | Spectroscopic Ellipsometry (SE) | |
| Profilometry | SP2 Particle Analysis |
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