Functional Electronic Materials

Ziel der Forschungsarbeiten ist die Entwicklung von Materialsystemen mit optimierten dielektrischen Eigenschaften (High-K) für Anwendungen in nanoelektronischen Bauelementen. Der Schwerpunkt liegt dabei auf Transistoren und Speichern. Eine der Kernkompetenzen dabei ist die hochkonformale Atomlagenabscheidung (ALD) von dielektrischen und leitfähigen Schichten auf 300mm Si-Wafern und anderen Wafer-Größen sowie die Metallisierung von Kupfer im Dual-Damascene-Verfahren für aktuelle und zukünftige BEOL-Technologiegenerationen.